3D(three-dimensional)集成电路被认为是未来集成电路的发展方向，它通过使集成芯片在垂直方向堆叠来提高单位面积上晶体管数量，使得在相同工艺下芯片的集成度可以大大的提高。“穿透硅通道(Through-Silicon Vias)”技术的出现，使得真正紧密集成多块芯片的三维集成电路成为了可能，而TSV 技术可以使集成电路的性能从多个方面得到很大的提升，例如提高集成电路的集成度；能大大缩短了集成电路之间连线，进而使延时和功耗都得到了显著地减小；同时，TSV 技术还能把不同工艺材料和不同的功能模块集成到一起，给芯片整体性能优化带来很大方便。这些显著的优势都使得 TSV技术近年来成为热门的研究领域。
TSV（through silicon via）技术是穿透硅通孔技术的缩写，一般简称硅通孔技术，是通过在芯片和芯片之间、晶圆与晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的最新技术。采用硅通孔TSV技术的3D集成方法能提高器件的数据交换速度、减少功耗以及提高输入/输出端密度等方面的性能。业内人士将TSV称为继引线键合（Wire Bonding）、TAB和倒装芯片FC之后的第四代封装技术。
由于TSV工艺的内连接长度可能是最短的，因此可以减小信号传输过程中的寄生损失和缩短时间延迟。TSV的发展将受到很多便携式消费类电子产品的有力推动，这些产品需要更长的电池寿命和更小的波形系统。芯片堆叠是各种不同类型电路互相混合的最佳手段，例如将存储器直接堆叠在逻辑器件上方。 我司在激光钻孔上积累了大量经验和专利沉淀，将直接替代美国进口设备，成为TSV领域主流激光钻孔设备供应商。
